Оперативная память Kingston KVR16E11S8/4
Информация о товаре
faq
Технические характеристики
Оперативная память Kingston KVR16E11S8/4
Оперативная память Kingston KVR16E11S8/4
Основные характеристики
Количество контактов
240
Количество модулей в комплекте
1
Объем одного модуля
4
Напряжение питания
1.5
Поддержка ECC
да
Тактовая частота
1600
Товар сертифицирован
да
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
DDR3
Пропускная способность
12800 Мб/с
Другое
Латентность CAS (CL)
11
Гарантия (мес)
1 год
Тайминги
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
Дополнительно
Количество ранков
1
Количество чипов каждого модуля
9