Оперативная память DIMM AMD R534G1601U1S-UO
Информация о товаре
faq
Технические характеристики
Оперативная память DIMM AMD R534G1601U1S-UO
Оперативная память DIMM AMD R534G1601U1S-UO
Основные характеристики
Форм-фактор
DIMM 240-контактный
Буферизованная (Registered)
нет
Напряжение питания
1.5
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тактовая частота
1600
Тип памяти
DDR3
Объем
1 модуль 4 Гб
Тайминги
Activate to Precharge Delay (tRAS)
28
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
Другое
Латентность CAS (CL)
11
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля
односторонняя упаковка